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    MYW10

    MYW10

    MYS 系列- MYW10 等离子系统

    实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程


    随着电子装配和半导体市场的快速发展,整个工业对生产效率及可靠度的要求也不断提升。MYS 系列清洁设备通过消除传统真空式等离子体处理的等待时间,带来巨大产能和整体良率提升,同时能确保安全地处理所有敏感性电子元件。


    产品特性

    MYW10 等离子系统实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程


    ? 常压式氩气等离子系统

    ? 100mm宽等离子在线式批量处理,相比传统方式效率提升2-5倍,使用成本降低30%以上 

    ? 100%中性等离子,对敏感电子元器件,不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线, 不会对产品带来任何伤害,更为安全友好

    ? 多种化学制程:O2制程去除有机污染物,H2制程去除金属氧化物,活化产品表面

    ? 不会对Wafer产生颗粒污染和表面粗糙度变化

    ? 可兼容Wafer和Tape frame的生产以及两者快速切换

    ? 满足Class10级无尘和SEMI标准


    MYW10 应用900x.jpg

    规格参数


    基本参数

    MYW10

    用电需求

    AC 380V, 13kW, 17A, 50/60Hz

    气压需求

    90psi(6bar)

    外形尺寸

    2000*2800*2200mm

    重量

    2200kg

    认证标准

    SEMI S2/S6/S8

    定位精度

    XY: ±?20?um@3?σ?Z: ±?10um@3?σ

    XYZ轴重复精度

    XY: ±?10um@3?σ?Z: ±?5um@3?σ

    最大速度

    1000mm/s(XY)

    加速度

    1.0g

    驱动系统

    AC servo

    工作平台参数

    上下料形式

    OHT+Load port+机械手

    机械手承重

    3KG

    适用Wafer晶圆尺寸

    12寸 (300mm)

    软件操作系统

    Windows 10

    X/Y行程

    400mm/500mm

    Z轴行程

    20mm

    通讯协议

    SMEMA

    工作范围

    等离子处理范围(W*D)

    300*300mm

    等离子处理后接触角 (WCA)

    WCA<10° (Wafer)

    等离子处理方式

    O2制程去除有机污染物

    H2制程去除金属氧化物

    等离子系统设备需求

    RF功率

    600W at 27.12MHz

    主要等離子气体

    Argon

    制程气体

    O2, N2, or H2 (Other upon testing)

    气源压力范围

    40~100psi (0.3~0.7MPa)



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