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      MYW10

      MYW10

      MYS 系列- MYW10 等离子系统

      实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程


      随着电子装配和半导体市场的快速发展,整个工业对生产效率及可靠度的要求也不断提升。MYS 系列清洁设备通过消除传统真空式等离子体处理的等待时间,带来巨大产能和整体良率提升,同时能确保安全地处理所有敏感性电子元件。


      产品特性

      MYW10 等离子系统实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程


      ? 常压式氩气等离子系统

      ? 100mm宽等离子在线式批量处理,相比传统方式效率提升2-5倍,使用成本降低30%以上 

      ? 100%中性等离子,对敏感电子元器件,不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线, 不会对产品带来任何伤害,更为安全友好

      ? 多种化学制程:O2制程去除有机污染物,H2制程去除金属氧化物,活化产品表面

      ? 不会对Wafer产生颗粒污染和表面粗糙度变化

      ? 可兼容Wafer和Tape frame的生产以及两者快速切换

      ? 满足Class10级无尘和SEMI标准


      MYW10 应用900x.jpg

      规格参数


      基本参数

      MYW10

      用电需求

      AC 380V, 13kW, 17A, 50/60Hz

      气压需求

      90psi(6bar)

      外形尺寸

      2000*2800*2200mm

      重量

      2200kg

      认证标准

      SEMI S2/S6/S8

      定位精度

      XY: ±?20?um@3?σ?Z: ±?10um@3?σ

      XYZ轴重复精度

      XY: ±?10um@3?σ?Z: ±?5um@3?σ

      最大速度

      1000mm/s(XY)

      加速度

      1.0g

      驱动系统

      AC servo

      工作平台参数

      上下料形式

      OHT+Load port+机械手

      机械手承重

      3KG

      适用Wafer晶圆尺寸

      12寸 (300mm)

      软件操作系统

      Windows 10

      X/Y行程

      400mm/500mm

      Z轴行程

      20mm

      通讯协议

      SMEMA

      工作范围

      等离子处理范围(W*D)

      300*300mm

      等离子处理后接触角 (WCA)

      WCA<10° (Wafer)

      等离子处理方式

      O2制程去除有机污染物

      H2制程去除金属氧化物

      等离子系统设备需求

      RF功率

      600W at 27.12MHz

      主要等離子气体

      Argon

      制程气体

      O2, N2, or H2 (Other upon testing)

      气源压力范围

      40~100psi (0.3~0.7MPa)



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