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    MYL10

    MYL10

    MYS 系列- MYL10等离子系统

    实现Lead Frame 表面处理的高产能


    随着电子装配和半导体市场的快速发展,整个工业对生产效率及可靠度的要求也不断提升。MYS 系列清洁设备通过消除传统真空式等离子体处理的等待时间,带来巨大产能和整体良率提升,同时能确保安全地处理所有敏感性电子元件。


    产品特性

    MYL10等离子系统实现Lead Frame 表面处理的高产能。


    ? 常压式氩气等离子系统

    ? 100mm宽等离子在线式批量处理,相比传统方式效率提升2-5倍,使用成本降低30%以上 ,

    机台最大产能1800UPH

    ? 高产能、高柔性生产:可处理多种尺寸Lead frame,且不同尺寸Lead frame可同时处理

    ? 100%中性等离子,对敏感电子元器件,不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线, 不会对产品带来任何伤害,更为安全友好

    ? 多种化学制程:O2制程去除有机污染物,H2制程去除金属氧化物,活化产品表面

    ? 不会对产品产生颗粒污染且不会有液体污染物


    MYL10 应用900x.jpg

    规格参数


    基本参数

    MYL10

    用电需求

    AC 200~240V, 4.5kW, 20A, 50/60Hz

    气压需求

    90psi(6bar)

    外形尺寸

    1500*2100*2100mm

    重量

    2500kg

    认证标准

    CE, SEMI S2

    定位精度

    XY: ±?20um@3?σ?Z: ±?5um@3?σ

    XYZ轴重复精度

    XY: ±?15um@3?σ?Z: ±?5um@3?σ

    最大速度

    1000mm/s(XY)

    加速度

    1.0g

    驱动系统

    AC servo

    工作平台参数

    轨道形式

    Belt

    轨道数量

    *4

    产品厚度范围

    0.1~1mm

    Z轴行程

    100mm

    最大产能UPH

    1800

    通讯协议

    SMEMA

    工作范围

    等离子处理范围(W*D)

    300~1320mm

    等离子处理方式

    O2制程去除有机污染物

    H2制程去除金属氧化物

    等离子系统设备需求

    RF功率

    600W at 27.12MHz

    主要等離子气体

    Argon

    制程气体

    O2, N2, or H2 (Other upon testing)

    气源压力范围

    40~100psi (0.3~0.7MPa)



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